Электронные компоненты

69 
Структура2n-каналаМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
6 шт.
+

40 
10 шт.
+

40 
3 шт.
+



103 
20 шт.
+



46 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

52 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

75 
2 шт.
+

90 
3 шт.
+

43 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

100 
20 шт.
+

46 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое...
12 шт.
+

52 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно...
10 шт.
+

70 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

69 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27(30) WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно...
10 шт.
+

50 
4 шт.
+

95 
10 шт.
+

57 
9 шт.
+

150 
20 шт.
+


30 
30 шт.
+






40 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
20 шт.
+

86 
10 шт.
+

41 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
13 шт.
+

57 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

33 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7/-6.1Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

50 
30 шт.
+

44 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В40/-40Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

102 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

80 
10 шт.
+

62 
10 шт.
+


46 
20 шт.
+

100 
3 шт.
+

21 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 VПредельно допустимое...
11 шт.
+

69 
10 шт.
+

120 
4 шт.
+

63 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

77 
20 шт.
+



46 
3 шт.
+

37 
10 шт.
+

46 
10 шт.
+


46 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

95 
20 шт.
+

437 
10 шт.
+

1 150 
2 шт.
+

210 
20 шт.
+

210 
5 шт.
+

350 
20 шт.
+

255 
5 шт.
+

180 
10 шт.
+

75 
AQW214EH, МОП-транзисторное реле, 2 x SPST-NO, 100 мА, 400 В, 35 Ом, 5 кВ
3 шт.
+



180 
11 шт.
+

520 
3 шт.
+

250 
10 шт.
+

220 
5 шт.
+

190 
20 шт.
+

250 
10 шт.
+

850 
5 шт.
+

680 
4 шт.
+

880 
3 шт.
+

5 
40 шт.
+

109 
4 шт.
+

109 
5 шт.
+


109 
1 шт.
+

109 
5 шт.
+





69 
3 шт.
+





34 
3 шт.
+

41 
10 шт.
+

36 
3 шт.
+


17 
3 шт.
+

25 
10 шт.
+

46 
20 шт.
+