Электронные компоненты

103 
10 шт.
+

50 
5 шт.
+

98 
3 шт.
+

448 
10 шт.
+

195 
1 шт.
+





115 
10 шт.
+

195 
3 шт.
+

230 
58 шт.
+

368 
129 шт.
+

55 
20 шт.
+

480 
15 шт.
+




63 
5 шт.
+



70 
10 шт.
+

35 
10 шт.
+



460 
5 шт.
+

25 
11 шт.
+



190 
20 шт.
+


55 
5 шт.
+

379 
3 шт.
+

90 
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
10 шт.
+









195 
11 шт.
+



78 
3 шт.
+


250 
3 шт.
+







240 
40 шт.
+

138 
20 шт.
+





86 
10 шт.
+

80 
10 шт.
+

80 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 42...
10 шт.
+

80 
Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 42...
10 шт.
+

86 
10 шт.
+

92 
60 шт.
+

103 
10 шт.
+

115 
20 шт.
+

103 
10 шт.
+

103 
13 шт.
+

99 
10 шт.
+

150 
10 шт.
+

167 
10 шт.
+

161 
10 шт.
+

92 
10 шт.
+

172 
10 шт.
+

100 
6 шт.
+

100 
40 шт.
+

100 
10 шт.
+

126 
10 шт.
+

138 
10 шт.
+

115 
10 шт.
+

150 
30 шт.
+

110 
36 шт.
+

92 
10 шт.
+

63 
10 шт.
+

150 
10 шт.
+

93 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74...
10 шт.
+

264 
Технические параметры Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Continuous Drain Current 70 A Package Type TO-262 Maximum...
10 шт.
+

87 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74...
14 шт.
+

36 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.6...
10 шт.
+

70 
20 шт.
+

75 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2...
30 шт.
+

115 
7 шт.
+

98 
Описание P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface...
10 шт.
+

48 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15...
9 шт.
+