Электронные компоненты

69 
10 шт.
+

39 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2...
12 шт.
+

40 
10 шт.
+

78 
Описание Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
10 шт.
+

63 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3...
10 шт.
+

80 
10 шт.
+

55 
10 шт.
+

55 
Описание IRF640NPBF  является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора...
20 шт.
+

54 
Описание MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On:...
10 шт.
+

60 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14...
10 шт.
+

26 
10 шт.
+

45 
10 шт.
+

25 
10 шт.
+

25 
10 шт.
+

60 
20 шт.
+

30 
10 шт.
+

31 
10 шт.
+

34 
10 шт.
+

26 
13 шт.
+

87 
10 шт.
+

34 
10 шт.
+

53 
10 шт.
+

37 
8 шт.
+

55 
50 шт.
+

57 
40 шт.
+

43 
10 шт.
+

32 
7 шт.
+


34 
10 шт.
+

46 
20 шт.
+

59 
10 шт.
+

38 
14 шт.
+

80 
Описание The IRF740APBF is a 400V N-channel Power MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency...
25 шт.
+

80 
Описание IRF740APBF - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор на 400 В с низким зарядом затвора Qg, что требует простого привода. Он...
10 шт.
+

80 
Описание МОП-транзистор N-Chan 400V 10 Amp Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400...
6 шт.
+

36 
10 шт.
+

38 
10 шт.
+

34 
10 шт.
+

65 
20 шт.
+

46 
14 шт.
+

90 
20 шт.
+

51 
10 шт.
+

80 
10 шт.
+

31 
10 шт.
+

40 
10 шт.
+

75 
10 шт.
+

126 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80...
10 шт.
+

40 
Описание N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
10 шт.
+

40 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5...
7 шт.
+

80 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8...
150 шт.
+

72 
5 шт.
+

63 
10 шт.
+

138 
12 шт.
+

103 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8...
10 шт.
+

44 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
8 шт.
+

44 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
5 шт.
+


54 
10 шт.
+

59 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
8 шт.
+

59 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
10 шт.
+

120 
40 шт.
+

120 
40 шт.
+

77 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
13 шт.
+

53 
25 шт.
+



67 
26 шт.
+

84 
10 шт.
+

64 
10 шт.
+

63 
10 шт.
+

57 
6 шт.
+

74 
10 шт.
+

202 
10 шт.
+

207 
10 шт.
+

138 
9 шт.
+

150 
10 шт.
+


172 
10 шт.
+

184 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210...
10 шт.
+

205 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31...
11 шт.
+

138 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210...
10 шт.
+

180 
40 шт.
+

57 
25 шт.
+

138 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 44...
10 шт.
+

240 
30 шт.
+

207 
Описание MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 26 А Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока...
5 шт.
+

150 
6 шт.
+

138 
10 шт.
+

138 
11 шт.
+

150 
10 шт.
+

138 
10 шт.
+

103 
9 шт.
+

103 
10 шт.
+

75 
10 шт.
+

75 
10 шт.
+

75 
10 шт.
+