Электронные компоненты

460 
3 шт.
+

310 
3 шт.
+

356 
2 шт.
+













747 
3 шт.
+

414 
1 шт.
+





253 
2 шт.
+

138 
3 шт.
+



350 
30 шт.
+


126 
6 шт.
+

70 
3 шт.
+


207 
3 шт.
+




977 
1 шт.
+

35 
100 шт.
+

112 
18 шт.
+

760 
3 шт.
+


















29 
3 шт.
+








23 
100 шт.
+

13 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
19 шт.
+

9 
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
10 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

35 
600 шт.
+

60 
500 шт.
+


45 
30 шт.
+


200 
20 шт.
+

85 
20 шт.
+

70 
10 шт.
+

60 
30 шт.
+

60 
60 шт.
+

30 
30 шт.
+

50 
30 шт.
+

30 
30 шт.
+

40 
30 шт.
+

50 
20 шт.
+

67 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
10 шт.
+

60 
20 шт.
+

35 
20 шт.
+

25 
30 шт.
+

20 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В30/-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.9/-6Максимальное напряжение затвор-исток...
100 шт.
+

23 
10 шт.
+


57 
10 шт.
+

69 
Структура2n-каналаМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
6 шт.
+

40 
10 шт.
+