Электронные компоненты








29 
3 шт.
+








23 
100 шт.
+

13 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
19 шт.
+

9 
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
10 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

15 
100 шт.
+

35 
600 шт.
+

60 
500 шт.
+

45 
30 шт.
+


200 
20 шт.
+

85 
20 шт.
+

29 
10 шт.
+

60 
30 шт.
+

60 
60 шт.
+

30 
30 шт.
+

50 
30 шт.
+

30 
30 шт.
+

40 
30 шт.
+

50 
20 шт.
+

67 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
10 шт.
+

60 
20 шт.
+

35 
20 шт.
+

25 
30 шт.
+

20 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В30/-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.9/-6Максимальное напряжение затвор-исток...
100 шт.
+

23 
10 шт.
+

57 
10 шт.
+

69 
Структура2n-каналаМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
6 шт.
+

40 
10 шт.
+

20 
3 шт.
+


103 
20 шт.
+



46 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

52 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

75 
2 шт.
+

90 
3 шт.
+

43 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

100 
20 шт.
+

46 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое...
12 шт.
+

52 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно...
10 шт.
+

70 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

69 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27(30) WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно...
10 шт.
+

50 
4 шт.
+

95 
10 шт.
+

57 
9 шт.
+

150 
20 шт.
+


30 
30 шт.
+





40 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
20 шт.
+

86 
10 шт.
+

41 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
13 шт.
+

57 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

33 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7/-6.1Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

50 
30 шт.
+

44 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В40/-40Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

102 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

80 
10 шт.
+

62 
10 шт.
+


46 
20 шт.
+

100 
3 шт.
+

21 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 VПредельно допустимое...
11 шт.
+

69 
10 шт.
+

120 
4 шт.
+

63 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

77 
20 шт.
+



46 
3 шт.
+

37 
10 шт.
+

46 
10 шт.
+


46 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+