Транзисторы, симисторы, диаки

51.00 
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкб макс),В 230 Макс. напр. к-э при...
10 шт.
+

80.00 
11 шт.
+

80.00 
30 шт.
+

110.00 
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при...
10 шт.
+

190.00 
Описание Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Корпус TO3PL Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при...
20 шт.
+

20.00 
100 шт.
+




150.00 
Структураnpn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой...
6 шт.
+

101.00 
Структураnpn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи...
7 шт.
+

135.00 
10 шт.
+



420.00 
20 шт.
+



150.00 
20 шт.
+

25.00 
50 шт.
+


37.00 
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при...
19 шт.
+

23.00 
Технические параметры TO-252 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкб макс),В 60 Макс. напр....
50 шт.
+

29.00 
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкб макс),В 60 Макс. напр. к-э при...
36 шт.
+

37.00 
Технические характеристики Корпус TO-92 Вес 0,4 г Si-N 35V, 0.8A, 0.6W, 120MHz
30 шт.
+

12.00 
20 шт.
+

9.00 
26 шт.
+

20.00 
100 шт.
+

12.00 
Технические параметры SOT-89 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс....
50 шт.
+

20.00 
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при...
100 шт.
+

150.00 
30 шт.
+

65.00 
100 шт.
+

150.00 
4 шт.
+

55.00 
9 шт.
+

45.00 
50 шт.
+

330.00 
10 шт.
+


207.00 
16 шт.
+

230.00 
19 шт.
+

330.00 
20 шт.
+

207.00 
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
3 шт.
+

29.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 VПредельно допустимое...
21 шт.
+

75.00 
2 шт.
+

250.00 
20 шт.
+

69.00 
TO-220F Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10Максимальное напряжение затвор-исток...
3 шт.
+

180.00 
20 шт.
+

40.00 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V...
12 шт.
+

180.00 
20 шт.
+

55.00 
2 шт.
+

250.00 
10 шт.
+

100.00 
2 шт.
+

17.00 
10 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

5.00 
500 шт.
+

10.00 
100 шт.
+

112.00 
18 шт.
+

23.00 
100 шт.
+

13.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
19 шт.
+

9.00 
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
10 шт.
+

35.00 
600 шт.
+

60.00 
500 шт.
+

45.00 
30 шт.
+


200.00 
20 шт.
+