Транзисторы, симисторы, диаки

55.00 
9 шт.
+

45.00 
50 шт.
+

330.00 
10 шт.
+


207.00 
16 шт.
+

230.00 
19 шт.
+

330.00 
20 шт.
+

207.00 
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
3 шт.
+

29.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 VПредельно допустимое...
21 шт.
+

75.00 
2 шт.
+

250.00 
20 шт.
+

69.00 
TO-220F Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10Максимальное напряжение затвор-исток...
3 шт.
+

180.00 
20 шт.
+

40.00 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V...
12 шт.
+

180.00 
20 шт.
+

55.00 
2 шт.
+

250.00 
10 шт.
+

100.00 
2 шт.
+

17.00 
10 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

5.00 
500 шт.
+

10.00 
100 шт.
+

112.00 
18 шт.
+

23.00 
100 шт.
+

13.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
19 шт.
+

9.00 
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
10 шт.
+

35.00 
600 шт.
+

60.00 
500 шт.
+



200.00 
20 шт.
+

85.00 
20 шт.
+

29.00 
10 шт.
+

60.00 
30 шт.
+

60.00 
60 шт.
+


50.00 
30 шт.
+



50.00 
20 шт.
+

67.00 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
10 шт.
+

60.00 
20 шт.
+

35.00 
20 шт.
+


20.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В30/-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.9/-6Максимальное напряжение затвор-исток...
100 шт.
+

23.00 
10 шт.
+

57.00 
10 шт.
+

69.00 
Структура2n-каналаМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
6 шт.
+

40.00 
10 шт.
+

20.00 
3 шт.
+


103.00 
20 шт.
+



46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

52.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

75.00 
2 шт.
+

90.00 
3 шт.
+

43.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

100.00 
20 шт.
+

46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое...
12 шт.
+

52.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно...
10 шт.
+

70.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

69.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27(30) WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно...
10 шт.
+

50.00 
4 шт.
+

95.00 
10 шт.
+

57.00 
9 шт.
+

150.00 
20 шт.
+

30.00 
30 шт.
+

40.00 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
20 шт.
+

86.00 
10 шт.
+

41.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
13 шт.
+

57.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

33.35 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7/-6.1Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

50.00 
30 шт.
+

44.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В40/-40Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

102.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

80.00 
10 шт.
+

62.00 
10 шт.
+

100.00 
3 шт.
+

21.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 VПредельно допустимое...
11 шт.
+

69.00 
10 шт.
+

120.00 
4 шт.
+

63.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

77.00 
20 шт.
+

380.00 
3 шт.
+


46.00 
3 шт.
+

37.00 
10 шт.
+

46.00 
10 шт.
+

65.00 
20 шт.
+

46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

5.00 
40 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

621.00 
40 шт.
+