Транзисторы, симисторы, диаки

67.00 
26 шт.
+

84.00 
10 шт.
+

64.00 
10 шт.
+

63.00 
10 шт.
+

57.00 
6 шт.
+

74.00 
10 шт.
+

202.00 
10 шт.
+

207.00 
10 шт.
+

138.00 
9 шт.
+

150.00 
10 шт.
+


172.00 
10 шт.
+

184.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210...
10 шт.
+

205.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31...
11 шт.
+

138.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210...
10 шт.
+

180.00 
40 шт.
+

57.00 
25 шт.
+

138.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 44...
10 шт.
+

240.00 
30 шт.
+

207.00 
Описание MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 26 А Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока...
5 шт.
+

150.00 
6 шт.
+

138.00 
10 шт.
+

138.00 
11 шт.
+

150.00 
10 шт.
+

138.00 
10 шт.
+

103.00 
9 шт.
+

103.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+