Транзисторы, симисторы, диаки

39.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2...
12 шт.
+

40.00 
10 шт.
+

78.00 
Описание Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
10 шт.
+

63.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3...
10 шт.
+

80.00 
10 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

55.00 
Описание IRF640NPBF  является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора...
20 шт.
+

54.00 
Описание MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On:...
10 шт.
+

60.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14...
10 шт.
+

26.00 
10 шт.
+

45.00 
10 шт.
+

25.00 
10 шт.
+

25.00 
10 шт.
+

60.00 
20 шт.
+

30.00 
10 шт.
+

31.00 
10 шт.
+