Транзисторы, симисторы, диаки

85.00 
20 шт.
+

29.00 
10 шт.
+

60.00 
30 шт.
+

60.00 
60 шт.
+


50.00 
30 шт.
+



50.00 
20 шт.
+

67.00 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
10 шт.
+

60.00 
20 шт.
+

35.00 
20 шт.
+


20.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В30/-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.9/-6Максимальное напряжение затвор-исток...
100 шт.
+

23.00 
10 шт.
+

57.00 
10 шт.
+

69.00 
Структура2n-каналаМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
6 шт.
+

40.00 
10 шт.
+

20.00 
3 шт.
+


103.00 
20 шт.
+



46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

52.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

75.00 
2 шт.
+

90.00 
3 шт.
+

43.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

100.00 
20 шт.
+

46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое...
12 шт.
+

52.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно...
10 шт.
+

70.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+