Транзисторы, симисторы, диаки

69.00 
10 шт.
+

39.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2...
12 шт.
+

40.00 
10 шт.
+

78.00 
Описание Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
10 шт.
+

63.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3...
10 шт.
+

80.00 
10 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

55.00 
Описание IRF640NPBF  является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора...
20 шт.
+

54.00 
Описание MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On:...
10 шт.
+

60.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14...
10 шт.
+

26.00 
10 шт.
+

45.00 
10 шт.
+

25.00 
10 шт.
+

25.00 
10 шт.
+

60.00 
20 шт.
+

30.00 
10 шт.
+

31.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

26.00 
13 шт.
+

87.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

53.00 
10 шт.
+

37.00 
8 шт.
+

55.00 
50 шт.
+

57.00 
40 шт.
+

43.00 
10 шт.
+

32.00 
7 шт.
+

60.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

46.00 
20 шт.
+

59.00 
10 шт.
+

38.00 
14 шт.
+

80.00 
Описание The IRF740APBF is a 400V N-channel Power MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency...
25 шт.
+

80.00 
Описание IRF740APBF - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор на 400 В с низким зарядом затвора Qg, что требует простого привода. Он...
10 шт.
+

80.00 
Описание МОП-транзистор N-Chan 400V 10 Amp Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400...
6 шт.
+

36.00 
10 шт.
+

38.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+


46.00 
14 шт.
+


51.00 
10 шт.
+

80.00 
10 шт.
+

31.00 
10 шт.
+

40.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

126.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80...
10 шт.
+

40.00 
Описание N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
10 шт.
+

40.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5...
7 шт.
+

80.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8...
150 шт.
+

72.00 
5 шт.
+

63.00 
10 шт.
+

138.00 
12 шт.
+

103.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8...
10 шт.
+

44.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
8 шт.
+

44.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
5 шт.
+

60.00 
30 шт.
+

54.00 
10 шт.
+

59.00 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
8 шт.
+

59.00 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
10 шт.
+

120.00 
40 шт.
+

120.00 
40 шт.
+

77.00 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
13 шт.
+

53.00 
25 шт.
+



67.00 
26 шт.
+

84.00 
10 шт.
+

64.00 
10 шт.
+

63.00 
10 шт.
+

57.00 
6 шт.
+

74.00 
10 шт.
+

202.00 
10 шт.
+

207.00 
10 шт.
+

138.00 
9 шт.
+

150.00 
10 шт.
+


172.00 
10 шт.
+

184.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210...
10 шт.
+

205.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31...
11 шт.
+

138.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 210...
10 шт.
+


57.00 
25 шт.
+

138.00 
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 44...
10 шт.
+

240.00 
30 шт.
+

207.00 
Описание MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 26 А Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока...
5 шт.
+

150.00 
6 шт.
+

138.00 
10 шт.
+

138.00 
11 шт.
+

150.00 
10 шт.
+

138.00 
10 шт.
+

103.00 
9 шт.
+

103.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+

75.00 
10 шт.
+