Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 3.9 nsВыходная емкость (Cd): 180 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 OhmТип корпуса: TO252