Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 6 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.8 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 3.3 nsВыходная емкость (Cd): 32 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 OhmТип корпуса: TO-252