Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 7 nsВыходная емкость (Cd): 100 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.037 OhmТип корпуса: TO-252