Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 84 nsВыходная емкость (Cd): 485 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 OhmТип корпуса: TO-252