Корзина пуста
Описание
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 ом при 1.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |