Корзина пуста
Наименование прибора: QM3016D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 96 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31.6 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 400 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-252