Транзисторы P-канал

60.00 
20 шт.
+

150.00 
4 шт.
+

55.00 
2 шт.
+

13.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
19 шт.
+

9.00 
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-4Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
10 шт.
+

35.00 
600 шт.
+

60.00 
500 шт.
+

200.00 
20 шт.
+

60.00 
30 шт.
+

60.00 
60 шт.
+




50.00 
20 шт.
+

67.00 
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V...
10 шт.
+

35.00 
20 шт.
+


20.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В30/-30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.9/-6Максимальное напряжение затвор-исток...
100 шт.
+

23.00 
10 шт.
+



52.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

70.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

69.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27(30) WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно...
10 шт.
+

41.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
13 шт.
+

57.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

33.35 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В35/-35Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7/-6.1Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

44.00 
Структураn/p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В40/-40Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15/-12Максимальное напряжение затвор-исток...
10 шт.
+

102.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

62.00 
10 шт.
+

63.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

46.00 
10 шт.
+

46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

160.00 
20 шт.
+

57.00 
11 шт.
+

46.00 
10 шт.
+

250.00 
4 шт.
+

80.00 
2 шт.
+




40.00 
10 шт.
+

23.00 
44 шт.
+

26.00 
10 шт.
+



99.00 
10 шт.
+

93.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74...
10 шт.
+

264.00 
Технические параметры Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Continuous Drain Current 70 A Package Type TO-262 Maximum...
10 шт.
+

87.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74...
14 шт.
+

115.00 
7 шт.
+

98.00 
Описание P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface...
10 шт.
+

100.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -31...
8 шт.
+

69.00 
10 шт.
+

45.00 
10 шт.
+

25.00 
10 шт.
+

30.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

26.00 
13 шт.
+

53.00 
10 шт.
+

37.00 
8 шт.
+

55.00 
50 шт.
+

57.00 
40 шт.
+

43.00 
10 шт.
+

60.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

46.00 
20 шт.
+

38.00 
14 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

46.00 
14 шт.
+

44.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
8 шт.
+

44.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
5 шт.
+

60.00 
30 шт.
+

54.00 
10 шт.
+

59.00 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
8 шт.
+

59.00 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
10 шт.
+

120.00 
40 шт.
+

120.00 
40 шт.
+

77.00 
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100...
13 шт.
+

53.00 
25 шт.
+



67.00 
26 шт.
+

84.00 
10 шт.
+

64.00 
10 шт.
+

63.00 
10 шт.
+

57.00 
6 шт.
+

55.00 
10 шт.
+

207.00 
5 шт.
+

207.00 
5 шт.
+

112.00 
5 шт.
+

109.00 
5 шт.
+

120.00 
100 шт.
+

46.00 
10 шт.
+

52.00 
10 шт.
+