Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.2 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВремя нарастания (tr): 3.2 nsВыходная емкость (Cd): 115 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 OhmТип корпуса: SOT23