Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8.5 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO-8