Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 8.4 nsВыходная емкость (Cd): 97 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 OhmТип корпуса: TO-252