Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 26 AВремя нарастания (tr): 30 nsВыходная емкость (Cd): 140 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 OhmТип корпуса: TO252