Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВремя нарастания (tr): 15 nsВыходная емкость (Cd): 340 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 OhmТип корпуса: SO8