Транзисторы P-канал

46.00 
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое...
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

160.00 
20 шт.
+

57.00 
11 шт.
+

46.00 
10 шт.
+

250.00 
4 шт.
+

80.00 
2 шт.
+




40.00 
10 шт.
+

23.00 
44 шт.
+

26.00 
10 шт.
+



99.00 
10 шт.
+

93.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74...
10 шт.
+

264.00 
Технические параметры Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Continuous Drain Current 70 A Package Type TO-262 Maximum...
10 шт.
+

87.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74...
14 шт.
+

115.00 
7 шт.
+

98.00 
Описание P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface...
10 шт.
+

100.00 
Технические параметры Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -31...
8 шт.
+

69.00 
10 шт.
+

45.00 
10 шт.
+

25.00 
10 шт.
+

30.00 
10 шт.
+

34.00 
10 шт.
+

26.00 
13 шт.
+

53.00 
10 шт.
+

37.00 
8 шт.
+

55.00 
50 шт.
+

57.00 
40 шт.
+