Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 135 °CГраничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHzЁмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pfСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 60Корпус транзистора: TO92