Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 OhmТип корпуса: TO252-4L