Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.4 AВремя нарастания (tr): 6 nsВыходная емкость (Cd): 150 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 OhmТип корпуса: SO8