Корзина пуста
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВремя нарастания (tr): 300 nsВыходная емкость (Cd): 550 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 OhmТип корпуса: TO252