Корзина пуста
Наименование прибора: RFP40N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 300 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220AB